核心思路是磨损均衡（Wear Leveling）与掉电安全。首先，将Flash划分为多个扇区（如4个），每个扇区再分为若干逻辑页，采用“页轮转”策略：写入时按顺序写入当前扇区的空闲页，写满后擦除下一个扇区，避免固定扇区被反复擦写。其次，使用“双备份+校验”机制：每次写入时先写临时区，再更新主区，并附加CRC或累加和，防止掉电导致数据损坏。实操建议：1）定义结构体包含数据、序号（递增）、状态标志（如0xAA表示有效），读取时扫描所有页找最大序号；2）定期触发“垃圾回收”，将有效数据复制到新扇区后擦除旧扇区；3）利用STM32的Flash编程/擦除时间（约20ms/页），在低优先级任务中执行，避免阻塞中断。若需更高寿命，可考虑外部EEPROM（如AT24C02）或使用STM32L4系列（带硬件ECC）。
mcuku 阿沐 · 2026-08-27