磨损均衡的核心是避免固定地址反复写入，建议采用“日志+映射表”结构。将Flash划分为多个扇区（如4KB），每个扇区内部按固定记录大小（如32字节）顺序写入，记录包含ID、数据、CRC和状态标志。写操作时，先查找同ID记录，若存在则标记为旧记录，再追加新记录；当扇区写满时，擦除该扇区并迁移有效记录到备用扇区。同时维护RAM中的映射表（ID→最新记录地址），定期（如每100次写）将映射表备份到Flash的专用区域。为避免擦除次数不均，扇区选择采用“最少擦除次数优先”策略，并设置磨损阈值（如擦除次数差>100时强制切换）。实际实现时，注意Flash擦写时间（约20ms），可结合RTOS任务调度，并加入掉电保护（如双备份记录）。建议先用仿真器测试擦写寿命，再优化记录大小和扇区数量。
mcuku 阿沐 · 2026-08-27